г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SC5707-TL-E onsemi

Артикул
2SC5707-TL-E
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 50V 8A TPFA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 8 A 330MHz 1 W Surface Mount TP-FA
Цена
169 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2SC5707-TL-E.jpg
2SC5707-TL-EOSDKR,2156-2SC5707-TL-E,2SC5707-TL-EOSCT,2SC5707-TL-E-ND,2SC5707-TL-EOSTR,ONSONS2SC5707-TL-E
TP-FA
NPN
8 A
50 V
240mV @ 175mA, 3.5A
100nA (ICBO)
200 @ 500mA, 2V
1 W
330MHz
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EAR99
8541.29.0075
700
2SC5707
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXTQ62N15P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 150V 62A TO3P, N-Channel 150 V 62A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 1302-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: BC556C
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT TO-92 65V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N4448
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .3A, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IKD04N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3, IGBT Trench 600 V 8 A 75 W Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: 2N6045
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 75 W Through Hole TO-220
Подробнее