г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SC6017-E onsemi

Артикул
2SC6017-E
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 50V 10A TP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 10 A 200MHz 950 mW Through Hole TP
Цена
153 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2SC6017-E.jpg
2SC6017-EOS,2SC6017-E-ND,2156-2SC6017-E,ONSONS2SC6017-E
TP
NPN
10 A
50 V
360mV @ 250mA, 5A
10µA (ICBO)
200 @ 1A, 2V
950 mW
200MHz
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Bulk
Obsolete
150°C (TJ)
Through Hole
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
EAR99
8541.21.0075
500
2SC6017
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4005G
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GP GLASS 600V 1A DO-41, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 0747-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL5/8HD X, 1/4"-20 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 COO, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRGPS40B120UDP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 80 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BZV55C5V1
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 5.1V DO213AA, Zener Diode 5.1 V ±6% Surface Mount DO-213AA
Подробнее
Артикул: 1507-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" -
Подробнее