г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SD2014 Sanken

Артикул
2SD2014
Бренд
Sanken
Описание
TRANS NPN DARL 80V 4A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 75MHz 25 W Through Hole TO-220F
Цена
246 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2SD2014.jpg
TO-220-3 Full Pack
TO-220F
25 W
NPN - Darlington
4 A
80 V
1.5V @ 3mA, 3A
10µA (ICBO)
2000 @ 3A, 2V
2SD2014 DK
1,000
-
Bulk
Active
Through Hole
150°C (TJ)
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0075
75MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STB140NF55T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: DTD143EKT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее
Артикул: FQP6N80C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N5364B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 33V 5W DO-15, Zener Diode 33 V 5 W ±5% Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: IPP60R099C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPP600N25N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3, N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее