г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SD2016 Sanken

Артикул
2SD2016
Бренд
Sanken
Описание
TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 200 V 3 A 90MHz 25 W Through Hole TO-220F
Цена
135 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2SD2016.jpg
TO-220-3 Full Pack
TO-220F
25 W
NPN - Darlington
3 A
200 V
1.5V @ 1.5mA, 1A
10µA (ICBO)
1000 @ 1A, 4V
2SD2016 DK
1,000
-
Bulk
Active
Through Hole
150°C (TJ)
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0075
90MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FSV10150V
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO277-3, Diode Schottky 150 V 10A Surface Mount TO-277-3
Подробнее
Артикул: IXGH32N170
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 75A 350W TO247AD, IGBT NPT 1700 V 75 A 350 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 1223-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: 1297-10-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: TSM60NB1R4CH C5G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251, N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Подробнее
Артикул: MDS150
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW, RF Transistor NPN 60V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 350W Chassis Mount 55AW
Подробнее