г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SD2018 Panasonic

Артикул
2SD2018
Бренд
Panasonic
Описание
TRANS NPN DARL 60V 1A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 1 A - 5 W Through Hole TO-126B-A1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2SD2018.jpg
1 (Unlimited)
TO-126B-A1
NPN - Darlington
1 A
60 V
1.8V @ 1mA, 1A
1µA (ICBO)
6500 @ 1A, 10V
5 W
RoHS non-compliant
2SD201
-
Bulk
Obsolete
150°C (TJ)
Through Hole
TO-225AA, TO-126-3
EAR99
8541.29.0095
1,000
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC559C,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BE-8250L
Бренд: WEC
Описание: BE-8250L,
Подробнее
Артикул: KBL410
Бренд: MDD
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBL
Подробнее
Артикул: MPS5179
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 200mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: NPTB00025B
Бренд: MACOM
Описание: HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ, RF Mosfet HEMT 28 V 225 mA 0Hz ~ 4GHz 13.5dB - -
Подробнее
Артикул: IRF7311PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее