г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SK1058-E Renesas

Артикул
2SK1058-E
Бренд
Renesas
Описание
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P, N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Цена
7 465 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/2SK1058-E.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
160 V
7A (Ta)
-
-
-
±15V
600 pF @ 10 V
-
100W (Tc)
TO-3P
1 (Unlimited)
-
Tube
Active
150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
EAR99
8541.29.0095
1
2SK1058
ROHS3 Compliant
REACH Affected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STGD6NC60HDT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 15A 56W DPAK, IGBT - 600 V 15 A 56 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: RGP10D
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: TIP32C
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP 100V 3A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2275-632-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX STANDOFFPLAIN STEEL3/8 HEX X, Hex Standoff Threaded #6-32 Steel 4.250" (107.95mm) 4 1/4" -
Подробнее
Артикул: IRG4PC40U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: RBR1MM60ATR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount PMDU
Подробнее