BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул

BSM75GB120DN2HOSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

IGBT MOD 1200V 105A 625W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 105 A 625 W Chassis Mount Module

Цена

20 424 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули

BSM75GB120DN2,SP000095923

Half Bridge

625 W

1200 V

105 A

Standard

3V @ 15V, 75A

1.5 mA

BSM75GB120

Chassis Mount

Tray

Last Time Buy

150°C (TJ)

Module

ROHS3 Compliant

1 (Unlimited)

REACH Unaffected

EAR99

8541.29.0095

5.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1395-6-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/8 HEX X 5, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -

Подробнее

Артикул: 1376-10-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -

Подробнее

Артикул: 6947-S-1

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: SHOULDER SCREWCADMIUM (COMMERCIA, #10-32 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Steel

Подробнее

Артикул: MMBT2222ALT1G

Бренд: onsemi

Описание: TRANS NPN 40V 600MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Подробнее

Артикул: 2N7002K,215

Бренд: NXP Semiconductors

Описание: MOSFET N-CH 60V 340MA TO236AB, N-Channel 60 V 340mA (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

Подробнее

Артикул: IRFI4227PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP, N-Channel 200 V 26A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak

Подробнее

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята