г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS25R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS25R12KE3GBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Цена
713 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/FS25R12KE3GBOSA1.jpg
FS25R12
SP000100424,FS25R12KE3G
Full Bridge
145 W
1200 V
40 A
Standard
-
2.15V @ 15V, 25A
Yes
5 mA
Chassis Mount
10
EconoPACK™ 2
Tray
Discontinued at Digi-Key
-40°C ~ 125°C
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1.8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXTN30N100L
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B, N-Channel 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: 1N5403
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD, Diode Standard 300 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: W10G/1
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A WOG, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole WOG
Подробнее
Артикул: IXTH48P20P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET P-CH 200V 48A TO247, P-Channel 200 V 48A (Tc) 462W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: UF5404/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D, IGBT Trench 1200 V 55 A 210 W Through Hole TO-247AC
Подробнее