г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTB50N65S1WG onsemi

Артикул
NGTB50N65S1WG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT TRENCH 650V 140A TO247, IGBT Trench 650 V 140 A 300 W Through Hole TO-247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/NGTB50N65S1WG.jpg
140 A
650 V
300 W
Standard
70 ns
Trench
2.45V @ 15V, 50A
1.25mJ (on), 530µJ (off)
75ns/128ns
400V, 50A, 10Ohm, 15V
140 A
TO-247-3
NGTB50N65S1WG-ND,NGTB50N65S1WGOS
NGTB50
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
128 nC

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SP1005
Бренд: Bantam Tools
Описание: RIGHT WINDOW,
Подробнее
Артикул: BZX85C20
Бренд: onsemi
Описание: ZENER DIODE, 20V, 5%, 1W, UNIDIR, Zener Diode 20 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: 1SMB5950B-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 110V 3W SMB, Zener Diode 110 V 3 W ±5% Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: IRF343
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 350V 8A TO3, N-Channel 350 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 250-7X
Бренд: TE Connectivity
Описание: 250-7X=WILMAR OVER/UNDERVOLTAG,
Подробнее
Артикул: MJ10016
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 DARLINGTON SILICON TRANSIST, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее