г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30FPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30FPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 31A TO220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30FPBF.jpg
480V, 17A, 23Ohm, 15V
100 W
Standard
600 V
31 A
-
124 A
1.8V @ 15V, 17A
230µJ (on), 1.18mJ (off)
51 nC
*IRG4BC30FPBF,SP001541932,Q8692032A
Through Hole
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1,000
21ns/200ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRGB4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W TO220, IGBT - 600 V 11 A 58 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MUR2505
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 50V 25A DO4, Diode Standard 50 V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: BZM55B4V7
Бренд: Rectron
Описание: ZENER 4.7V 500MW MICRO-MELF, Zener Diode 4.7 V 500 mW MicroMELF
Подробнее
Артикул: IXTP01N100D
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO220AB, N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SP-27-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-11/16" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: DMC2450UV-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT563, Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.03A, 700mA 450mW Surface Mount SOT-563
Подробнее