г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

A2G22S251-01SR3 NXP Semiconductors

Артикул
A2G22S251-01SR3
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet LDMOS 48 V 200 mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
Цена
27 124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/A2G22S251-01SR3.jpg
NI-400S-2S
REACH Unaffected
200 mA
1.805GHz ~ 2.2GHz
125 V
52dBm
LDMOS
17.7dB
48 V
NI-400S-2S
ROHS3 Compliant
A2G22
-
Tape & Reel (TR)
Active
Not Applicable
EAR99
8541.29.0075
935313179528
250
-
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FJH1100
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 15V 150MA DO35, Diode Standard 15 V 150mA (DC) Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MMSZ5257BT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 33V 500MW SOD123, Zener Diode 33 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: MJF3055
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 90V 10A TO220FP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 10 A 2MHz 2 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: 1274-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: Harris
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: NGTB50N60S1WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 50A 600V TO-247, IGBT Trench 600 V 100 A 417 W Through Hole TO-247-3
Подробнее