г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

A2G22S251-01SR3 NXP Semiconductors

Артикул
A2G22S251-01SR3
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet LDMOS 48 V 200 mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
Цена
27 124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/A2G22S251-01SR3.jpg
NI-400S-2S
REACH Unaffected
200 mA
1.805GHz ~ 2.2GHz
125 V
52dBm
LDMOS
17.7dB
48 V
NI-400S-2S
ROHS3 Compliant
A2G22
-
Tape & Reel (TR)
Active
Not Applicable
EAR99
8541.29.0075
935313179528
250
-
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: KSB564AYTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 25V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1 A 110MHz 800 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IXGN200N60B3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B, IGBT Module PT Single 600 V 300 A 830 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: STW25NM60ND
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3, N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1433-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: UDZSTE-1720B
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 20V 200MW UMD2, Zener Diode 20 V 200 mW ±2% Surface Mount UMD2
Подробнее