A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
Артикул
A2G35S200-01SR3
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Цена
45 559 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/A2G35S200-01SR3.jpg
NI-400S-2S
REACH Unaffected
291 mA
3.4GHz ~ 3.6GHz
125 V
180W
GaN HEMT
16.1dB
48 V
NI-400S-2S
ROHS3 Compliant
A2G35
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Not Applicable
DISC 3A001B3
8541.29.0075
935320919118,A2G35S200-01SR3-ND,568-15206-6,568-15206-2,568-15206-1
250
-
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут