г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AFT27S010NT1 NXP Semiconductors

Артикул
AFT27S010NT1
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W, RF Mosfet LDMOS 28 V 90 mA 2.17GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W
Цена
3 648 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/AFT27S010NT1.jpg
PLD-1.5W
REACH Unaffected
90 mA
2.17GHz
65 V
1.26W
LDMOS
21.7dB
28 V
PLD-1.5W
ROHS3 Compliant
AFT27
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0095
935317972515,AFT27S010NT1CT,AFT27S010NT1DKR,AFT27S010NT1TR,AFT27S010NT1-ND
1,000
-
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BY500-800-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 800V 5A DO201AD, Diode Standard 800 V 5A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: CSD17571Q2
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON, N-Channel 30 V 22A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-SON (2x2)
Подробнее
Артикул: IXXH100N60B3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 220A 830W TO247AD, IGBT PT 600 V 220 A 830 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Подробнее
Артикул: PSMN8R040PS127
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB, N-Channel 40 V 77A (Ta) 86W (Ta) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: RBV600
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: BRIGDE RECTIFIER 6A 50V, CASE TY, Bridge Rectifier Single Phase Standard 50 V Through Hole RBV-25
Подробнее
Артикул: 1N4006G
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GP GLASS 800V 1A DO-41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее