г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AO3160E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AO3160E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3, N-Channel 600 V 40mA (Ta) 1.39W (Ta) Surface Mount SOT-23A-3

Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AO3160E.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
40mA (Ta)
500Ohm @ 16mA, 10V
3.2V @ 8µA
0.9 nC @ 10 V
9.5 pF @ 25 V
4.5V, 10V
±20V
SOT-23A-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
785-1848-2,785-1848-1,785-1848-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
AO3160
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
1.39W (Ta)

AO3160E обозначает транзистор N-MOSFET, выпускаемый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Ниже приведены основные характеристики:
1. Тип: N-MOSFET (полевой транзистор с типом проводимости N)
2. Номинальное напряжение: 600 Вольт
3. Номинальный ток: 0,03 Ампера
4. Мощность: 0,89 Вт
5. Корпус: SOT23A-3 (поверхностно-монтажный корпус с 3 выводами)
Транзисторы N-MOSFET являются ключевыми элементами в электронных устройствах и находят широкое применение в различных схемах. Они обладают хорошей производительностью и высоким коэффициентом усиления тока.
В данном случае, транзистор AO3160E имеет высокое номинальное напряжение в 600 Вольт, что позволяет его использование в схемах с высокими напряжениями. Номинальный ток составляет 0,03 Ампера, что указывает на то, что данный транзистор предназначен для применения в небольших токовых схемах.
Мощность составляет 0,89 Вт, что является важным параметром при выборе транзистора, так как он должен быть способен выдерживать нагрузку, связанную с протекающим током и напряжением.
Корпус SOT23A-3 является стандартным корпусом для поверхностного монтажа и содержит 3 вывода, которые позволяют удобно подключать транзистор в электрическую схему.
Таким образом, транзистор AO3160E представляет собой надежный и эффективный элемент, подходящий для использования в различных электронных устройствах и схемах, где требуется работа с высокими напряжениями и небольшими токами.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FMMT417TD
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 100 V 500 mA 40MHz 330 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BR5006
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: STD 50A, CASE TYPE: BR50, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Chassis Mount BR-50
Подробнее
Артикул: VS-60EPU06PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: 1253-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: APTMC120AM20CT1AG
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1, Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 143A (Tc) 600W Chassis Mount SP1
Подробнее
Артикул: CSD19531Q5A
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Подробнее