г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AO3160E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AO3160E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3, N-Channel 600 V 40mA (Ta) 1.39W (Ta) Surface Mount SOT-23A-3

Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AO3160E.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
40mA (Ta)
500Ohm @ 16mA, 10V
3.2V @ 8µA
0.9 nC @ 10 V
9.5 pF @ 25 V
4.5V, 10V
±20V
SOT-23A-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
785-1848-2,785-1848-1,785-1848-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
AO3160
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
1.39W (Ta)

AO3160E обозначает транзистор N-MOSFET, выпускаемый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Ниже приведены основные характеристики:
1. Тип: N-MOSFET (полевой транзистор с типом проводимости N)
2. Номинальное напряжение: 600 Вольт
3. Номинальный ток: 0,03 Ампера
4. Мощность: 0,89 Вт
5. Корпус: SOT23A-3 (поверхностно-монтажный корпус с 3 выводами)
Транзисторы N-MOSFET являются ключевыми элементами в электронных устройствах и находят широкое применение в различных схемах. Они обладают хорошей производительностью и высоким коэффициентом усиления тока.
В данном случае, транзистор AO3160E имеет высокое номинальное напряжение в 600 Вольт, что позволяет его использование в схемах с высокими напряжениями. Номинальный ток составляет 0,03 Ампера, что указывает на то, что данный транзистор предназначен для применения в небольших токовых схемах.
Мощность составляет 0,89 Вт, что является важным параметром при выборе транзистора, так как он должен быть способен выдерживать нагрузку, связанную с протекающим током и напряжением.
Корпус SOT23A-3 является стандартным корпусом для поверхностного монтажа и содержит 3 вывода, которые позволяют удобно подключать транзистор в электрическую схему.
Таким образом, транзистор AO3160E представляет собой надежный и эффективный элемент, подходящий для использования в различных электронных устройствах и схемах, где требуется работа с высокими напряжениями и небольшими токами.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FZT558TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 400V 0.2A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 200 mA 50MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: FDU8780
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK, N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: 0720-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS5/8HD X, #12-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 1117-4-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: SBR12U100P5-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 100V 12A POWERDI5, Diode Super Barrier 100 V 12A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее