г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AO4264E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AO4264E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO, N-Channel 60 V 13.5A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SO

Цена
57 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AO4264E.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
13.5A (Ta)
9.8mOhm @ 13.5A, 10V
2.4V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
1100 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-55°C ~ 150°C (TJ)
AlphaSGT™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AO4264
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
3.1W (Ta)

AO4264E является транзистором MOSFET, с полярностью N. Этот транзистор предназначен для использования в электронных схемах и обладает следующими характеристиками:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W. Это означает, что транзистор может выдерживать мощность до 3.1 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 V. Это максимальное напряжение, которое можно применять между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это максимальное напряжение, которое можно применять между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 V. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток от стока к истоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 13.5 A. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора при заданном напряжении затвор-исток и напряжении сток-исток.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без повреждений.
Эти характеристики позволяют использовать транзистор AO4264E в различных электронных схемах, таких как усилители мощности, источники питания, преобразователи и другие приложения, где требуется управление током и напряжением.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NDC651N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A SUPERSOT6, N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: BD242BG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 3MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TIP36B
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 25A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: IXFX240N25X3
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3, N-Channel 250 V 240A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: KSE340STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: BLF7G24LS-100
Бренд: Ampleon
Описание:

RF FET LDMOS 100W SOT502B, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 100W SOT502B

Подробнее