г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AO4407AL Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AO4407AL
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC, P-Channel 30 V 12A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Цена
127 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AO4407AL.jpg
P-Channel
-
30 V
12A (Ta)
11mOhm @ 12A, 20V
3V @ 250µA
39 nC @ 10 V
2600 pF @ 15 V
6V, 20V
±25V
MOSFET (Metal Oxide)
8-SOIC
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
3.1W (Ta)

AO4407AL обозначает транзистор P-MOSFET, выпускаемый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Это компонент, который используется в электронных схемах для управления электрическим током.
Транзистор AO4407AL представляет собой P-канальный MOSFET, что означает, что он является управляемым полевым транзистором с положительным типом проводимости. Он обладает высокой эффективностью и низким сопротивлением канала, что позволяет ему обеспечивать эффективное управление большими токами при низком потреблении энергии.
Основные технические характеристики транзистора AO4407AL включают следующее:
1. Напряжение стока-истока (Vds): 30 В
2. Ток стока (Id): 12 А
3. Сопротивление канала (Rds(on)): очень низкое
4. Корпус: SOIC-8 (пластмассовый корпус с 8 выводами)
Этот транзистор обычно применяется в различных схемах электроники, где требуется управление большими токами. Он может использоваться в источниках питания, преобразователях постоянного тока, переключающих источниках, а также в других устройствах, где важно эффективное управление энергией.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FSB660A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 2A 3SSOT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 75MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1242-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: STD3NK100Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK, N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 1N5399
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 1000V 1.5A DO-15, Diode Standard 1000 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: BLF1046,112
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: BLF1046 - UHF POWER LDMOS TRANSI, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: 2N3055
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A - 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее