AO4466L Alpha & Omega Semiconductor

AO4466L является MOSFET-транзистором типа N-канал (полярность N). MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор, использующий оксидный слой (например, оксид кремния) в качестве изолятора между затвором и каналом.
Ниже представлены основные характеристики AO4466L:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 9.4 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура канала транзистора.
Транзистор AO4466L обладает характеристиками, которые позволяют использовать его в различных электронных схемах и приложениях, требующих управления током и напряжением.