AO4800B Alpha & Omega Semiconductor

AO4800B представляет собой MOSFET-транзистор (N-канальный), который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) является электронным устройством, используемым в схемах усиления и коммутации сигналов.
Вот основные характеристики AO4800B:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 В. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Эти характеристики позволяют использовать транзистор AO4800B в различных электронных устройствах и схемах, таких как источники питания, усилители, преобразователи, переключатели и другие.