г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AO4822AL Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AO4822AL
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AO4822AL.jpg
2W
2 N-Channel (Dual)
Logic Level Gate
30V
8A
19mOhm @ 8A, 10V
2.4V @ 250µA
18nC @ 10V
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Bulk
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
888pF @ 15V

AO4822AL от компании Alpha & Omega Semiconductor обозначает двухканальный N-канальный транзистор повышения режима поля (Enhancement Mode Field Effect Transistor) в корпусе SOP-8. Этот продукт предназначен для использования в различных электронных устройствах, включая источники питания, управление моторами, переключатели и другие приложения, где требуется управление мощностью.
Основные технические параметры AO4822AL следующие:
1. Напряжение стока-источника (Drain-source voltage): 30 В.
2. Напряжение затвор-источник (Gate-source voltage): ±20 В.
3. Ток стока (Drain current): 8.5 А.
4. Импульсный ток стока (Drain pulsed current): 30 А.
5. Потеря мощности (Power dissipation): 1.28 Вт.
6. Рабочая температура (Operating temperature): -55 до 175 °C.
Этот транзистор обладает улучшенным режимом работы с увеличенной проводимостью и хорошими электрическими характеристиками.
Транзистор AO4822AL предлагает высокую производительность и надежность, обеспечивая эффективное управление мощностью при различных условиях эксплуатации. Он может быть использован в широком спектре применений, где необходимо управление током и напряжением.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1533-B-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/4 RD X 1/4 X .140 ID, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 1N3993A
Бренд: Microchip Technology
Описание: ZENER DIODE, Zener Diode 3.9 V 10 W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4)
Подробнее
Артикул: MJE13005
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 400V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 4MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF7389TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FQP630
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3, N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BFU910FX
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F, RF Transistor NPN 9.5V 15mA 300mW Surface Mount 4-DFP
Подробнее