AO6401A Alpha & Omega Semiconductor

AO6401A описывает MOSFET транзистор с полярностью P, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет множество характеристик и параметров, которые определяют его функциональность и применение.
Вот основные технические характеристики транзистора AO6401A:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.3 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 5 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, при которой транзистор может надежно функционировать.
Транзистор AO6401A с положительной полярностью MOSFET широко применяется в различных электронных устройствах, где требуется управление мощностью и коммутация сигналов. Он может использоваться в усилителях, источниках питания, преобразователях и других аналогичных приложениях.