г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB270L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB270L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263, N-Channel 75 V 21.5A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB270L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
75 V
21.5A (Ta), 140A (Tc)
2.3mOhm @ 20A, 10V
3V @ 250µA
215 nC @ 10 V
10350 pF @ 37.5 V
6V, 10V
±20V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1472-1,785-1472-2,785-1472-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
AOB270
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.1W (Ta), 500W (Tc)

AOB270L, производства компании Alpha & Omega Semiconductor, является MOSFET транзистором. Это транзистор с типом управляющего канала N-канальный (N-Channel).
Ниже приведены технические характеристики:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 500 Вт. Это означает, что транзистор может рассеивать до 500 Вт энергии без проблем.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 75 В. Это максимальное допустимое напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное допустимое напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 3 В. Это напряжение, при котором начинается управление током стока транзистора.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 140 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через транзистор.
6. Максимальная рабочая температура стыка (Tj): 175 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может надежно работать.
Этот товар может использоваться в различных электронных устройствах, таких как источники питания, преобразователи энергии, усилители мощности и другие приложения, где требуется управление большими токами и мощностями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZT52C3V6
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123F, Zener Diode 3.6 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123F
Подробнее
Артикул: FQPF9N25C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8, N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 1512-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: MS2200
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102, RF Transistor NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W Chassis Mount M102
Подробнее
Артикул: IRF7465
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO, N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1357-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.813" (46.04mm) -
Подробнее