г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB270L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB270L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263, N-Channel 75 V 21.5A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB270L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
75 V
21.5A (Ta), 140A (Tc)
2.3mOhm @ 20A, 10V
3V @ 250µA
215 nC @ 10 V
10350 pF @ 37.5 V
6V, 10V
±20V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1472-1,785-1472-2,785-1472-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
AOB270
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.1W (Ta), 500W (Tc)

AOB270L, производства компании Alpha & Omega Semiconductor, является MOSFET транзистором. Это транзистор с типом управляющего канала N-канальный (N-Channel).
Ниже приведены технические характеристики:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 500 Вт. Это означает, что транзистор может рассеивать до 500 Вт энергии без проблем.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 75 В. Это максимальное допустимое напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное допустимое напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 3 В. Это напряжение, при котором начинается управление током стока транзистора.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 140 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через транзистор.
6. Максимальная рабочая температура стыка (Tj): 175 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может надежно работать.
Этот товар может использоваться в различных электронных устройствах, таких как источники питания, преобразователи энергии, усилители мощности и другие приложения, где требуется управление большими токами и мощностями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: D44VH10G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 15A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 50MHz 83 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TC8220K6-G
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN, Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 200V - - Surface Mount 12-DFN (4x4)
Подробнее
Артикул: IXTP26P20P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB, P-Channel 200 V 26A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRF741
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 350 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFP244
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3, N-Channel 250 V 15A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее