г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB27S60L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB27S60L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 27A TO263, N-Channel 600 V 27A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Цена
723 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB27S60L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
27A (Tc)
160mOhm @ 13.5A, 10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
1294 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1248-6,785-1248-1,785-1248-2
aMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
AOB27S60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 150°C (TJ)
357W (Tc)

AOB27S60L представляет собой MOSFET транзистор, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W - это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V - это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V - это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V - это напряжение, необходимое для включения транзистора и установления проводящего состояния между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A - это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком при заданных условиях.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C - это максимальная температура, которую транзистор может выдержать без повреждений.
Таким образом, AOB27S60L является N-канальным MOSFET транзистором с высокими мощностными характеристиками и подходит для использования в различных электронных устройствах и системах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJD45H11T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: AR2502
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: DIODE GEN PURP 200V 25A MICRODE, Diode Standard 200 V 25A Surface Mount Microde Button
Подробнее
Артикул: FDMS3006SDC
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56, N-Channel 30 V 34A (Ta) 3.3W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: FFPF10UP20STU
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GP 200V 10A TO220F-2L, Diode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220F-2L
Подробнее
Артикул: BR2504
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: STD 25A, CASE TYPE: BR50, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Chassis Mount BR-50
Подробнее
Артикул: OF-MCL-20-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 20 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее