г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB27S60L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB27S60L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 27A TO263, N-Channel 600 V 27A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Цена
723 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB27S60L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
27A (Tc)
160mOhm @ 13.5A, 10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
1294 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1248-6,785-1248-1,785-1248-2
aMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
AOB27S60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 150°C (TJ)
357W (Tc)

AOB27S60L представляет собой MOSFET транзистор, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W - это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V - это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V - это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V - это напряжение, необходимое для включения транзистора и установления проводящего состояния между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A - это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком при заданных условиях.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C - это максимальная температура, которую транзистор может выдержать без повреждений.
Таким образом, AOB27S60L является N-канальным MOSFET транзистором с высокими мощностными характеристиками и подходит для использования в различных электронных устройствах и системах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PGM-34
Бренд: Essentra Components
Описание: HOLE PLUG 0.437" NYLON BLACK, Hole Plug 0.437" (11.10mm) 7/16" Nylon Black
Подробнее
Артикул: IRL60HS118
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN, N-Channel 60 V 18.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRF647
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 275 V 13A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: FDB14N30TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK, N-Channel 300 V 14A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: BZV55-C51,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 51V 500MW LLDS,
Подробнее
Артикул: Q6015L6TP
Бренд: Littelfuse
Описание: TRIAC 600V 15A 80-80-80 MA TO220, TRIAC Standard 600 V 15 A Through Hole ITO-220AB
Подробнее