г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB298L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB298L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263, N-Channel 100 V 9A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB298L.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
100 V
9A (Ta), 58A (Tc)
14.5mOhm @ 20A, 10V
4.1V @ 250µA
27 nC @ 10 V
1670 pF @ 50 V
10V
±20V
TO-263 (D2Pak)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 175°C (TJ)
785-1362-1,785-1362-2,785-1362-6
2.1W (Ta), 100W (Tc)

AOB298L - это MOSFET транзистор типа N, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, который является одним из ключевых элементов в электронных схемах и используется для усиления, коммутации и регулирования сигналов.
Вот основные характеристики транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать в виде тепла без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 100 V. Это максимальное разрешенное напряжение между стоком (дрен) и истоком (исток) транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это максимальное разрешенное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.1 V. Это напряжение затвора, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 58 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора при заданных условиях работы.
Эти характеристики помогают оценить возможности и ограничения данного MOSFET транзистора и выбрать его для конкретного применения в электронных схемах, например, для управления мощными нагрузками или коммутации сигналов во многих устройствах и системах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BDX54C
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A - 60 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SI2319CDS-T1-BE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23, P-Channel 40 V 3.1A (Ta), 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 1569-E-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: 1260-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: ACST8-8CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRIAC 800V 8A TO220AB, TRIAC Standard 800 V 8 A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1140-8-B-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC1/4 RD X 1, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.250" (31.75mm) 1 1/4" Clear
Подробнее