г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB298L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB298L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263, N-Channel 100 V 9A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB298L.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
100 V
9A (Ta), 58A (Tc)
14.5mOhm @ 20A, 10V
4.1V @ 250µA
27 nC @ 10 V
1670 pF @ 50 V
10V
±20V
TO-263 (D2Pak)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 175°C (TJ)
785-1362-1,785-1362-2,785-1362-6
2.1W (Ta), 100W (Tc)

AOB298L - это MOSFET транзистор типа N, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, который является одним из ключевых элементов в электронных схемах и используется для усиления, коммутации и регулирования сигналов.
Вот основные характеристики транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать в виде тепла без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 100 V. Это максимальное разрешенное напряжение между стоком (дрен) и истоком (исток) транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это максимальное разрешенное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.1 V. Это напряжение затвора, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 58 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора при заданных условиях работы.
Эти характеристики помогают оценить возможности и ограничения данного MOSFET транзистора и выбрать его для конкретного применения в электронных схемах, например, для управления мощными нагрузками или коммутации сигналов во многих устройствах и системах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6437
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 25 A - Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: FF1400R17IP4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 1400A, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700 V 1400 A 955000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 2N4033
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A - 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 923748-I
Бренд: 3M
Описание: BREADBOARD TERM STRIP 6.50X2.25", Solderless Breadboard Terminal Strip (No Frame) 6.50" x 2.25" (165.1mm x 57.2mm)
Подробнее
Артикул: BSC057N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON, N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: 0823-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL11/64HD, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее