г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB7S65L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 7A TO263, N-Channel 650 V 7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Цена
272 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB7S65L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
7A (Tc)
650mOhm @ 3.5A, 10V
4V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
434 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1538-1,785-1538-2,785-1538-6,AOB7S65L-ND
aMOS™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AOB7S65
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 150°C (TJ)
104W (Tc)

AOB7S65L является MOSFET транзистором, изготовленным компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он имеет полярность N, что означает, что ток течет от истока к стоку при наличии положительного напряжения на затворе.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 104 Вт энергии, чтобы не перегреваться.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 650 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить значительный ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 7 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без перегрева.
Эти характеристики помогают определить спецификации и возможности данного MOSFET транзистора с артикулом AOB7S65L.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6045
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 75 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFP9240
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3, P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1443-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: 1229-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: SBR1045SP5-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5, Diode Super Barrier 45 V 10A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: AO4821
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее