г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB7S65L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 7A TO263, N-Channel 650 V 7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Цена
272 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB7S65L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
7A (Tc)
650mOhm @ 3.5A, 10V
4V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
434 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1538-1,785-1538-2,785-1538-6,AOB7S65L-ND
aMOS™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AOB7S65
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 150°C (TJ)
104W (Tc)

AOB7S65L является MOSFET транзистором, изготовленным компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он имеет полярность N, что означает, что ток течет от истока к стоку при наличии положительного напряжения на затворе.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 104 Вт энергии, чтобы не перегреваться.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 650 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить значительный ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 7 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без перегрева.
Эти характеристики помогают определить спецификации и возможности данного MOSFET транзистора с артикулом AOB7S65L.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STGB10NB37LZ
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 440V 20A 125W D2PAK, IGBT - 440 V 20 A 125 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: STGD10NC60KDT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 20A 62W DPAK, IGBT - 600 V 20 A 62 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: RFD16N05LSM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA, N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 1123-6-B-3
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCADMIUM QQ-P-416F-CL, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" Yellow
Подробнее
Артикул: TIP41CTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 100V 6A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: STD11N65M5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N CH 650V 9A DPAK, N-Channel 650 V 9A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее