г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB7S65L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 7A TO263, N-Channel 650 V 7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Цена
272 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB7S65L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
7A (Tc)
650mOhm @ 3.5A, 10V
4V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
434 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1538-1,785-1538-2,785-1538-6,AOB7S65L-ND
aMOS™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AOB7S65
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 150°C (TJ)
104W (Tc)

AOB7S65L является MOSFET транзистором, изготовленным компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он имеет полярность N, что означает, что ток течет от истока к стоку при наличии положительного напряжения на затворе.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 104 Вт энергии, чтобы не перегреваться.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 650 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить значительный ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 7 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без перегрева.
Эти характеристики помогают определить спецификации и возможности данного MOSFET транзистора с артикулом AOB7S65L.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJD122T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 1399-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/8 HEX X 9, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: R80186
Бренд: AMD Xilinx
Описание: R80186,
Подробнее
Артикул: FSAM30SH60A
Бренд: onsemi
Описание: SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: 1N3600
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI .001A, Diode Standard 50 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: BZX55C12
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 12V 500MW DO35, Zener Diode 12 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее