г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOB7S65L
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 7A TO263, N-Channel 650 V 7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Цена
272 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOB7S65L.jpg
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
7A (Tc)
650mOhm @ 3.5A, 10V
4V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
434 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
785-1538-1,785-1538-2,785-1538-6,AOB7S65L-ND
aMOS™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AOB7S65
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
800
-55°C ~ 150°C (TJ)
104W (Tc)

AOB7S65L является MOSFET транзистором, изготовленным компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он имеет полярность N, что означает, что ток течет от истока к стоку при наличии положительного напряжения на затворе.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 104 Вт энергии, чтобы не перегреваться.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 650 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить значительный ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 7 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без перегрева.
Эти характеристики помогают определить спецификации и возможности данного MOSFET транзистора с артикулом AOB7S65L.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FGH30S130P
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 500 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MURA210T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA, Diode Standard 100 V 2A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: 0165-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS7/16HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: IRF5852TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: U6-PRO
Бренд: Labjack
Описание: MULTI DAQ MODULE USB 14 ANLOG IN, Programmable Logic Controller (PLC) Chassis Mount 4.75 ~ 5.25V
Подробнее
Артикул: NTE392
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 25A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее