г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD1N60 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD1N60
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252, N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD1N60.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
1.3A (Tc)
9Ohm @ 650mA, 10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
160 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1179-2,785-1179-6,785-1179-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-50°C ~ 150°C (TJ)
45W (Tc)

AOD1N60 представляет собой N-канальный транзистор с поверхностным монтажом (Surface Mount) в корпусе TO-252, также известном как DPAK (TO-252AA). Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Основные характеристики этого транзистора следующие:
1. Напряжение стока-истока (VDS): 600 В. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение до 600 В между стоком и истоком.
2. Ток стока (ID): 1.3 А при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданной температуре корпуса.
3. Мощность потери (PD): 45 Вт при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальная мощность, которую транзистор может потерять при заданной температуре корпуса без повреждения.
Такой тип транзистора широко используется в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление высоким напряжением и током. Например, он может применяться в источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, аудиоусилителях и других приложениях.
Транзистор AOD1N60 от Alpha & Omega Semiconductor обладает хорошими характеристиками, такими как низкое сопротивление канала и высокая производительность. Он может быть привлекательным выбором для инженеров, разрабатывающих электронные устройства, которым необходимо управление мощностью при работе с высокими напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJ21194G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 16A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N759A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 12V 500MW DO35, Zener Diode 12 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MM3Z16VT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 16V 300MW SOD323, Zener Diode 16 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: GBPC2510
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV QC Terminal GBPC
Подробнее
Артикул: PM450CLA120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM L-SER 6PAC 1200V 450A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 450 A Power Module
Подробнее
Артикул: AON7548
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN, N-Channel 30 V 24A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
Подробнее