г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD1N60 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD1N60
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252, N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD1N60.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
1.3A (Tc)
9Ohm @ 650mA, 10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
160 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1179-2,785-1179-6,785-1179-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-50°C ~ 150°C (TJ)
45W (Tc)

AOD1N60 представляет собой N-канальный транзистор с поверхностным монтажом (Surface Mount) в корпусе TO-252, также известном как DPAK (TO-252AA). Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Основные характеристики этого транзистора следующие:
1. Напряжение стока-истока (VDS): 600 В. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение до 600 В между стоком и истоком.
2. Ток стока (ID): 1.3 А при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданной температуре корпуса.
3. Мощность потери (PD): 45 Вт при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальная мощность, которую транзистор может потерять при заданной температуре корпуса без повреждения.
Такой тип транзистора широко используется в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление высоким напряжением и током. Например, он может применяться в источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, аудиоусилителях и других приложениях.
Транзистор AOD1N60 от Alpha & Omega Semiconductor обладает хорошими характеристиками, такими как низкое сопротивление канала и высокая производительность. Он может быть привлекательным выбором для инженеров, разрабатывающих электронные устройства, которым необходимо управление мощностью при работе с высокими напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FGD3N60LSDTM
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 6A 40W DPAK, IGBT - 600 V 6 A 40 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 1278-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 3_4-ROUND_SPACER, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: IRG7PSH73K10PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRG7PSH73K10 - DISCRETE IGBT COM, IGBT Trench 1200 V 220 A 1.15 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BZX84-C4V7,235
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 4.7V 250MW TO236AB, Zener Diode 4.7 V 250 mW ±5% Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: 1519-A-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: IRFB4310PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее