г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD1N60 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD1N60
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252, N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD1N60.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
1.3A (Tc)
9Ohm @ 650mA, 10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
160 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1179-2,785-1179-6,785-1179-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-50°C ~ 150°C (TJ)
45W (Tc)

AOD1N60 представляет собой N-канальный транзистор с поверхностным монтажом (Surface Mount) в корпусе TO-252, также известном как DPAK (TO-252AA). Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Основные характеристики этого транзистора следующие:
1. Напряжение стока-истока (VDS): 600 В. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение до 600 В между стоком и истоком.
2. Ток стока (ID): 1.3 А при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданной температуре корпуса.
3. Мощность потери (PD): 45 Вт при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальная мощность, которую транзистор может потерять при заданной температуре корпуса без повреждения.
Такой тип транзистора широко используется в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление высоким напряжением и током. Например, он может применяться в источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, аудиоусилителях и других приложениях.
Транзистор AOD1N60 от Alpha & Omega Semiconductor обладает хорошими характеристиками, такими как низкое сопротивление канала и высокая производительность. Он может быть привлекательным выбором для инженеров, разрабатывающих электронные устройства, которым необходимо управление мощностью при работе с высокими напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1378-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: ZTX968
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 4.5 A 80MHz 1.58 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: JT-035
Бренд: ECG
Описание: REP TIP FOR J-035,
Подробнее
Артикул: 30CTQ035
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: 30A, 35V, TO-220AB,SCHOTTKY RECT, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35 V 15A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1344-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: IPA65R190CFDXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее