г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD1N60 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD1N60
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252, N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD1N60.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
1.3A (Tc)
9Ohm @ 650mA, 10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
160 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1179-2,785-1179-6,785-1179-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-50°C ~ 150°C (TJ)
45W (Tc)

AOD1N60 представляет собой N-канальный транзистор с поверхностным монтажом (Surface Mount) в корпусе TO-252, также известном как DPAK (TO-252AA). Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Основные характеристики этого транзистора следующие:
1. Напряжение стока-истока (VDS): 600 В. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение до 600 В между стоком и истоком.
2. Ток стока (ID): 1.3 А при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданной температуре корпуса.
3. Мощность потери (PD): 45 Вт при температуре корпуса (Tc) 25°C. Это максимальная мощность, которую транзистор может потерять при заданной температуре корпуса без повреждения.
Такой тип транзистора широко используется в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление высоким напряжением и током. Например, он может применяться в источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, аудиоусилителях и других приложениях.
Транзистор AOD1N60 от Alpha & Omega Semiconductor обладает хорошими характеристиками, такими как низкое сопротивление канала и высокая производительность. Он может быть привлекательным выбором для инженеров, разрабатывающих электронные устройства, которым необходимо управление мощностью при работе с высокими напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BTB08-600BWRG
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB, TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 8 A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF7301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: PMV100XPEAR
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB, P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 463mW (Ta), 1.9W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: PD57018-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10, RF Mosfet LDMOS 28 V 100 mA 945MHz 16.5dB 18W 10-PowerSO
Подробнее
Артикул: IRFH4210DTRPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 25 V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: 1520-E-3-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL3/1, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее