г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD2210 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD2210
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO252, N-Channel 200 V 3A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
121 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD2210.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
200 V
3A (Ta), 18A (Tc)
105mOhm @ 18A, 10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
2065 pF @ 100 V
5V, 10V
±20V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.5W (Ta), 100W (Tc)

AOD2210 обозначает MOSFET транзистор типа N (с дренажем N-канал), выпускаемый компанией Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полупроводниковое устройство, которое имеет много применений в схемах усиления и коммутации сигналов.
Вот некоторые характеристики AOD2210:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W - Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать в виде тепла без повреждения.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 200 V - Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V - Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.5 V - Это напряжение, которое необходимо приложить к затвору для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 18 A - Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора при определенных условиях.
Транзистор AOD2210 MOSFET предоставляет возможность управления большими токами и высокими напряжениями, и может использоваться в различных электронных устройствах, включая усилители, источники питания, стабилизаторы напряжения и другие приложения, где требуется коммутация и усиление сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TN2540N8-G
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA, N-Channel 400 V 260mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Подробнее
Артикул: MBR10100CTP
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V - Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N4957
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS PNP 30V 30MA TO72, RF Transistor PNP 30V 30mA - 200mW Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: RUC002N05HZGT116
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3, N-Channel 50 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
Подробнее
Артикул: BZX84C13
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 13V 350MW SOT23-3, Zener Diode 13 V 350 mW ±6% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1178-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM5/16 R, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.688" (42.86mm) -
Подробнее