г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD3N40 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD3N40
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N CH 400V 2.6A TO252, N-Channel 400 V 2.6A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
49 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD3N40.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
400 V
2.6A (Tc)
3.1Ohm @ 1A, 10V
4.5V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
225 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1350-2,785-1350-1,785-1350-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-50°C ~ 150°C (TJ)
50W (Tc)

AOD3N40 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе TO-252.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать максимальную мощность до 50 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 400 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это минимальное напряжение, необходимое для открытия транзистора и установления канала между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 2.6 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура канала транзистора.
Транзистор AOD3N40 обладает высокой мощностью, низким сопротивлением и предназначен для работы в широком диапазоне приложений, включая усилители, коммутационные схемы и преобразователи энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N5092
Бренд: Microsemi
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: CPC3701C
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 60V SOT89, N-Channel 60 V - 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-89
Подробнее
Артикул: 90SQ035
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 9A DO201AD, Diode Schottky 35 V 9A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: GP1603
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 16A 200V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 16A (DC) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: GI250-2-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 2KV 250MA DO204, Diode Standard 2000 V 250mA Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 1N5824
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE SCHOTTKY 5A 30V TOPHAT, Diode Schottky 30 V 5A Through Hole Axial
Подробнее