AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor

AOD3N50 является MOSFET-транзистором типа N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса TO-252.
Некоторые характеристики транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 57 Вт энергии, чтобы избежать повреждений.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 500 В. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком транзистора без повреждений.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком транзистора без повреждений.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.7 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить и становится активным.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 2.8 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток и исток транзистора без повреждений.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без перегрева.
В целом, транзистор AOD3N50 представляет собой MOSFET с положительной полярностью, предназначенный для работы с высокими напряжениями и токами. Он может использоваться в различных электронных устройствах и системах, где требуется управление электрическими сигналами и коммутация высокой мощности.