AOD3N60 Alpha & Omega Semiconductor

AOD3N60 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса TO-252.
Ниже приведены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56.8 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 56.8 Вт энергии, чтобы не перегреваться.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 5 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо подать на затвор для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 2.5 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Транзистор AOD3N60 обладает характеристиками, которые позволяют использовать его в различных приложениях, требующих управления электрическим током и напряжением.