г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD4186 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD4186
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 40V 10A/35A TO252, N-Channel 40 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
46 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD4186.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
40 V
10A (Ta), 35A (Tc)
15mOhm @ 20A, 10V
2.7V @ 250µA
20 nC @ 10 V
1200 pF @ 20 V
4.5V, 10V
±20V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.5W (Ta), 50W (Tc)

AOD4186 является транзистором MOSFET (металл-оксид-полевой транзистор). Этот MOSFET имеет тип управляющего канала N-канал, что означает, что он работает с положительным напряжением на затворе относительно истока.
Вот некоторые характеристики и спецификации этого транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 50 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать максимальное количество мощности, которую он может преобразовать в тепло без повреждения.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 40 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2.7 В. Это минимальное напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимальный дрейн-ток (|Id|): 35 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком.
Этот MOSFET можно использовать в различных электронных схемах, таких как усилители мощности, инверторы, источники питания и другие. Он обладает высоким максимальным током и низким сопротивлением сток-исток, что делает его подходящим для приложений, требующих большой мощности и низкой потери энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF5851TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: 1557-D-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL3/16, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: 2N4871
Бренд: Solid State
Описание: TO 92 UNIJUNCTION TRANSISTOR, Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Подробнее
Артикул: EGP20G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO15, Diode Standard 400 V 2A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: SBR10U200CTFP
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SBR 200V 5A ITO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 200 V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее
Артикул: 1227-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее