г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD4504 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD4504
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 200V 1.5A/6A TO252, N-Channel 200 V 1.5A (Ta), 6A (Tc) 2.5W (Ta), 42.5W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
68 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD4504.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
200 V
1.5A (Ta), 6A (Tc)
400mOhm @ 3A, 10V
3.7V @ 250µA
115 nC @ 10 V
328 pF @ 100 V
10V
±20V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1479-1,785-1479-2,785-1479-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-55°C ~ 175°C (TJ)
2.5W (Ta), 42.5W (Tc)

AOD4504 представляет собой MOSFET-транзистор (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса TO-252.
Некоторые характеристики данного транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42.5 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно расеивать до 42.5 Вт энергии, чтобы не перегреться.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и установления проводимости между истоком и стоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях эксплуатации.
Эти характеристики важны при разработке и выборе электронных схем, где требуется использование MOSFET-транзисторов. Они определяют параметры работы транзистора и его применимость в конкретных условиях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HUF75229P3
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3, N-Channel 50 V 44A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: C5D05170H
Бренд: Wolfspeed
Описание: 5A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY, Diode Silicon Carbide Schottky 1700 V 18A (DC) Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: 1511-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: MBR10100
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2, Diode Schottky 100 V 10A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: BAQ135-GS08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80, Diode Standard 125 V 200mA Surface Mount SOD-80 QuadroMELF
Подробнее
Артикул: 1600BW
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB KNURLED W/SKIRT 0.250" PHEN, Knurled, Straight Knob 0.250" (6.35mm) Shaft with Line on Skirt Phenolic Black
Подробнее