г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD4S60 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD4S60
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 4A TO252, N-Channel 600 V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
248 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD4S60.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
4A (Tc)
900mOhm @ 2A, 10V
4.1V @ 250µA
6 nC @ 10 V
263 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1265-1,785-1265-2,AOD4S60L,785-1265-6
aMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-55°C ~ 150°C (TJ)
56.8W (Tc)

AOD4S60 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус TO-252.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56.8 W. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 V. Это значение определяет максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 V. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.1 V. Это значение определяет минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 4 A. Это значение указывает на максимальный постоянный ток, который может протекать через сток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это значение указывает на максимально допустимую температуру, которую может достигать канал транзистора без повреждения.
Все эти характеристики важны при проектировании и использовании транзистора в различных электронных схемах и приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAV102,115
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS, Diode Standard 150 V 250mA (DC) Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее
Артикул: 1541-D-4-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: 0760-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL3/4HD X, 1/4"-20 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: IRF4905LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A TO262, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IXFN200N10P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B, N-Channel 100 V 200A (Tc) 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: 7129-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN BRASS3/8 HD X 7/, #8-32 Knob Thumb Screw - Drive Brass
Подробнее