AOD5B60D Alpha & Omega Semiconductor

AOD5B60D является транзистором типа IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). Он имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 54.4 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора.
3. Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (|Vge|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между эмиттером и затвором транзистора.
4. Максимальный постоянный ток коллектора (|Ic|) при температуре 25°C: 10 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через коллектор транзистора при указанной температуре.
5. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое (|VCE(sat)|): 1.55 В. Это напряжение указывает на минимальное напряжение между коллектором и эмиттером, при котором транзистор находится в насыщенном состоянии.
Тип корпуса данного транзистора - TO252, который предоставляется компанией Alpha & Omega Semiconductor. Корпус TO252 является стандартным типом корпуса для монтажа на поверхности печатной платы, обеспечивающим хорошее охлаждение и удобство монтажа.