AOD7N60 Alpha & Omega Semiconductor

AOD7N60 является MOSFET-транзистором, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Ниже приведены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать мощность до 178 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток от стока к истоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 7 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор от стока к истоку.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, которую может выдержать транзистор.
Эти характеристики описывают основные параметры и спецификации транзистора AOD7N60. Они позволяют инженерам выбрать наиболее подходящий транзистор для конкретного применения в электрической схеме. Например, данный транзистор может быть использован в различных устройствах силовой электроники, таких как инверторы, источники питания, стабилизаторы напряжения и т.д.