г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD7N65
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 650V 7A TO252, N-Channel 650 V 7A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
203 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD7N65.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
650 V
7A (Tc)
1.56Ohm @ 3.5A, 10V
4.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
1180 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1484-1,785-1484-2,785-1484-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-50°C ~ 150°C (TJ)
178W (Tc)

AOD7N65 является MOSFET-транзистором, предназначенным для использования в электронных устройствах. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор с изоляцией посредством оксидного слоя.
Вот основные характеристики AOD7N65:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор.
AOD7N65 относится к серии MOSFET-транзисторов, производимых компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор может применяться в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление мощностью.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6052
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 12 A - 150 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: SD1731
Бренд: STMicroelectronics
Описание: RF TRANS NPN 55V M174, RF Transistor NPN 55V 20A - 233W Surface Mount M174
Подробнее
Артикул: HL1-14
Бренд: ABB Power Electronics
Описание: HL1-14,
Подробнее
Артикул: FMMT549
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 30V 1A SUPERSOT-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 1 A 100MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: NTE222
Бренд: NTE Electronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 25V 50MA TO72, N-Channel 25 V 50mA (Tj) 360mW (Ta), 1.2mW (Tc) Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: SJ5012
Бренд: 3M
Описание: BUMPER PROTECTIVE PRODUCTS SJ501, Foot Cylindrical, Flat Top 0.500" Dia (12.70mm) Polyurethane Black
Подробнее