г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD7S60 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD7S60
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 600V 7A TO252, N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
301 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD7S60.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
600 V
7A (Tc)
600mOhm @ 3.5A, 10V
3.9V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
372 pF @ 100 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1266-2,785-1266-1,785-1266-6,AOD7S60L
aMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-55°C ~ 150°C (TJ)
83W (Tc)

AOD7S60 представляет собой MOSFET-транзистор с полярностью N. Этот транзистор является продуктом компании Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса TO-252.
Ниже приведены характеристики данного транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать тепло при работе с мощностью, не превышающей 83 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 3.9 В. Это напряжение определяет минимальное значение напряжения на затворе, при котором транзистор начинает проводить ток от истока к стоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 7 А. Это максимальное значение тока, который может протекать от стока к истоку при заданных условиях работы.
Транзистор AOD7S60 обладает высокой мощностью рассеивания, высоким предельно допустимым напряжением и умеренным предельно допустимым током стока, что делает его подходящим для использования в различных электронных устройствах, включая источники питания, инверторы, усилители мощности и другие.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N6098
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5, Diode Schottky 40 V 50A Chassis, Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: SZMMSZ4705T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 18V 500MW SOD123, Zener Diode 18 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: 0596-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS5/16HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 99A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 99 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: 1234-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: 2N3906
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее