AOD8N25 Alpha & Omega Semiconductor

AOD8N25 является MOSFET-транзистором с полярностью N (негативной). Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса TO-252.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 78 Вт энергии без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 250 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.3 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает проводить электрический ток от стока к истоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 8 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора, при которой он может нормально функционировать.
В целом, транзистор AOD8N25 является мощным N-канальным MOSFET-транзистором с хорошими электрическими характеристиками. Он может использоваться в различных электронных устройствах и схемах.