г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOD9N40 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOD9N40
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N CH 400V 8A TO252, N-Channel 400 V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Цена
140 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOD9N40.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
400 V
8A (Tc)
800mOhm @ 4A, 10V
4.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
760 pF @ 25 V
10V
±30V
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
785-1386-1,785-1386-2,785-1386-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
-50°C ~ 150°C (TJ)
125W (Tc)

AOD9N40 представляет собой MOSFET транзистор типа N-Channel, изготовленный компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах и системах управления.
Некоторые основные характеристики этого транзистора включают:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 125 Вт - это максимальная мощность, которую транзистор может диссипировать без превышения допустимой температуры.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 400 В - это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 30 В - это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 4.5 В - это напряжение, которое необходимо приложить к затвору для достижения начала управления транзистором.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 8 А - это максимальный ток, который может протекать через сток и исток транзистора.
6. Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C - это максимальная температура, которую транзистор может выдержать без повреждений.
Данный транзистор поставляется в корпусе TO-252, который является типичным корпусом для монтажа на поверхности печатной платы.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: RFP15P05
Бренд: Harris
Описание: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3, P-Channel 50 V 15A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FCH76N60N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3, N-Channel 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BAV99WT1G
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: BAV99 - DUAL HIGH-SPEED SWITCHIN, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100 V 215mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: MPSA44
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 300 mA - 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N7000G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: BAT54AFILM
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 300mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее