AOD9N50 Alpha & Omega Semiconductor

AOD9N50 является MOSFET-транзистором, выпускаемым компанией Alpha & Omega Semiconductor. Вот некоторые основные технические характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W - это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 500 V - это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 V - это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 V - это минимальное напряжение на затворе, необходимое для активации транзистора и установления проводящего состояния между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 9 A - это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C - это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без повреждений.
Эти характеристики могут быть полезными при проектировании и выборе соответствующих компонентов в электронных схемах и приложениях, где требуется использование MOSFET-транзисторов с подобными параметрами.