г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOE6930 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOE6930
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 22A (Tc), 85A (Tc) 24W, 75W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AOE6930.jpg
8-DFN (5x6)
24W, 75W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Standard
30V
22A (Tc), 85A (Tc)
4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
8-VDFN Exposed Pad
-55°C ~ 150°C (TJ)
3,000
AlphaMOS
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

AOE6930 обозначает MOSFET транзистор типа N, выпускаемый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление электрическим током.
Вот некоторые характеристики данного транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 24 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать тепло, создаваемое при прохождении тока, до 24 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.1 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 22 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор в установленных пределах напряжений и других характеристик.
Учитывая эти характеристики, можно выбрать и применить транзистор AOE6930 в различных электронных схемах, включая усилители мощности, источники питания, инверторы и другие устройства, где важно эффективное управление электрическим током при работе в заданных напряжениях и токах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: S2B-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB, Diode Standard 100 V 1.5A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: 6903-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN BRASS1/4HD X, #4-40 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Brass
Подробнее
Артикул: WW-2010-7
Бренд: Interlight
Описание: UVC 4-PIN LAMP BULB 4W 254NM DA,
Подробнее
Артикул: 1N4448WT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F, Diode Standard 75 V 200mA Surface Mount SOD-523F
Подробнее
Артикул: 1SMA5918BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 1.5W SMA, Zener Diode 5.1 V 1.5 W ±5% Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: 1290-25-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее