г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOE6930 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOE6930
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 22A (Tc), 85A (Tc) 24W, 75W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AOE6930.jpg
8-DFN (5x6)
24W, 75W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Standard
30V
22A (Tc), 85A (Tc)
4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
8-VDFN Exposed Pad
-55°C ~ 150°C (TJ)
3,000
AlphaMOS
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

AOE6930 обозначает MOSFET транзистор типа N, выпускаемый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление электрическим током.
Вот некоторые характеристики данного транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 24 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать тепло, создаваемое при прохождении тока, до 24 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.1 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 22 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор в установленных пределах напряжений и других характеристик.
Учитывая эти характеристики, можно выбрать и применить транзистор AOE6930 в различных электронных схемах, включая усилители мощности, источники питания, инверторы и другие устройства, где важно эффективное управление электрическим током при работе в заданных напряжениях и токах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC847C
Бренд: Nexperia
Описание: NOW NEXPERIA BC847C - SMALL SIGN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 250 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF730
Бренд: NTE Electronics
Описание: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220, N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: PWM-72
Бренд: Brady
Описание: VNYL PORTA-PK REFILL - LEGEND: 7,
Подробнее
Артикул: 0347-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS9/16HD X, 5/16"-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: STC04IE170HP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS ESBT 1700V 4A TO247-4LHP, Transistor Gate Driver NPN - Emitter Switched Bipolar 1700V (1.7kV) 4A Through Hole TO-247-4L
Подробнее
Артикул: 2SAR552PFRAT100
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 3 A 330MHz 500 mW Surface Mount MPT3
Подробнее