г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOE6930 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOE6930
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 22A (Tc), 85A (Tc) 24W, 75W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AOE6930.jpg
8-DFN (5x6)
24W, 75W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Standard
30V
22A (Tc), 85A (Tc)
4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
8-VDFN Exposed Pad
-55°C ~ 150°C (TJ)
3,000
AlphaMOS
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

AOE6930 обозначает MOSFET транзистор типа N, выпускаемый компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление электрическим током.
Вот некоторые характеристики данного транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 24 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать тепло, создаваемое при прохождении тока, до 24 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.1 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 22 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор в установленных пределах напряжений и других характеристик.
Учитывая эти характеристики, можно выбрать и применить транзистор AOE6930 в различных электронных схемах, включая усилители мощности, источники питания, инверторы и другие устройства, где важно эффективное управление электрическим током при работе в заданных напряжениях и токах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 30346-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: BSP372NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: MBRD1045T4G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK, Diode Schottky 45 V 10A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: PS-1000-2-OR
Бренд: Brady
Описание: SLEEVE, 1 IN DIA X 2 IN W,
Подробнее
Артикул: TIP147T
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 10 A - 90 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IXZ210N50L
Бренд: IXYS
Описание: N-CHANNEL RF MOSFET 175MH, RF Mosfet N-Channel 50 V 175MHz 16dB 200W DE275
Подробнее