AOK30B60D1 Alpha & Omega Semiconductor

AOK30B60D1 является транзистором типа IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). Этот транзистор имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 208 Вт. Это означает, что транзистор может эффективно рассеивать тепло, создаваемое в процессе работы, не превышая этого значения мощности.
2. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): 600 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между коллектором и эмиттером транзистора.
3. Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (|Vge|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между эмиттером и затвором транзистора.
4. Максимальный постоянный ток коллектора (|Ic|) при 25 ℃: 60 А. Это максимальный ток, который может проходить через коллектор транзистора при комнатной температуре.
5. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое (|VCE(sat)|): 1.85 В. Это напряжение, которое возникает между коллектором и эмиттером транзистора при насыщенном состоянии (когда транзистор полностью открыт).
Эти характеристики указывают на то, что AOK30B60D1 может использоваться в различных силовых электронных приложениях, таких как инверторы, преобразователи частоты, источники питания и другие устройства, где требуется управление большими токами и высокими напряжениями при высокой эффективности и надежности.