г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOK40B65H2AL Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOK40B65H2AL
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

IGBT 650V 40A TO-247, IGBT - 650 V 80 A 260 W Through Hole TO-247

Цена
359 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/AOK40B65H2AL.jpg
315 ns
260 W
Standard
600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
80 A
650 V
-
120 A
2.6V @ 15V, 40A
1.17mJ (on), 540µJ (off)
61 nC
TO-247
TO-247-3
-55°C ~ 150°C (TJ)
Alpha IGBT™
Tube
Active
Through Hole
AOK40
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
30ns/117ns

AOK40B65H2AL - это транзистор IGBT (игбт) производства компании Alpha & Omega Semiconductor. Давайте разберемся подробнее в характеристиках этого устройства:
1. Напряжение: 650 Вольт - Это максимальное рабочее напряжение, которое может выдерживать данный транзистор. Это означает, что он может работать в системах, где напряжение не превышает 650 Вольт.
2. Ток: 40 Ампер - Это максимальный ток, который может протекать через транзистор. Он определяет, какое количество электрического тока может управляться данным устройством.
3. Мощность: 105 Ватт - Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать. При работе с более высокими мощностями, возможно потребуется дополнительное охлаждение, чтобы избежать перегрева.
4. Корпус: TO247 - Это тип корпуса транзистора, который обычно используется для мощных полупроводниковых устройств. Корпус TO247 обеспечивает хорошую тепловую отдачу и удобство монтажа.
Транзисторы IGBT широко используются в электронике и силовых устройствах для управления высокими токами и напряжениями. Они обеспечивают комбинацию высокого входного сопротивления управления и низкого падения напряжения на выходе, что делает их эффективными для преобразования электроэнергии и управления двигателями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6287
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 20 A - 160 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: FGH40N60UFDTU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: ML-1813
Бренд: WEC
Описание: T-3 1/4 MINBAY-14.4V-RADIO,
Подробнее
Артикул: ZTX949
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 30V 4.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 4.5 A 100MHz 1.58 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: IXZ210N50L
Бренд: IXYS
Описание: N-CHANNEL RF MOSFET 175MH, RF Mosfet N-Channel 50 V 175MHz 16dB 200W DE275
Подробнее
Артикул: STTH12R06D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC, Diode Standard 600 V 12A Through Hole TO-220AC
Подробнее