AOK60B60D1 Alpha & Omega Semiconductor

AOK60B60D1 является транзистором типа IGBT (биполярный транзистор соизмеримый с изолированным затвором). Он имеет N-канал управляющего канала и поставляется в корпусе TO247, который является стандартным для мощных полупроводников.
Вот некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 417 Вт. Это указывает на максимальную мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева.
2. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): 600 В. Это означает, что максимальное напряжение, которое можно применить между коллектором и эмиттером, составляет 600 В.
3. Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (|Vge|): 20 В. Это ограничение определяет максимальное напряжение между эмиттером и затвором.
4. Максимальный постоянный ток коллектора (|Ic|) при 25 °C: 120 А. Это указывает на максимальный постоянный ток, который транзистор может пропускать через коллектор.
5. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое (|VCE(sat)|): 1.85 В. Это напряжение указывает на насыщенное состояние транзистора, когда он полностью открыт и имеет минимальное падение напряжения между коллектором и эмиттером.
Таким образом, транзистор AOK60B60D1 является мощным IGBT с N-каналом управляющего канала и имеет широкий спектр применения в различных электронных устройствах, где требуется управление большими токами и напряжениями.