г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOL1426 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOL1426
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 10A/46A ULTRASO8, N-Channel 30 V 10A (Ta), 46A (Tc) 2W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount UltraSO-8™

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOL1426.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
10A (Ta), 46A (Tc)
10.5mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
1452 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
UltraSO-8™
3-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 175°C (TJ)
785-1124-1,785-1124-6,785-1124-2
2W (Ta), 43W (Tc)

AOL1426 является MOSFET-транзистором типа N-канал. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор на основе металл-оксид-полупроводниковой (MOS) структуры.
Ниже приведены основные технические характеристики AOL1426:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное разрешенное напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 В. Это максимальное разрешенное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.5 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 46 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток и исток при заданных условиях работы.
Транзистор AOL1426 может использоваться в различных электронных устройствах и схемах, где требуется коммутация и управление большими токами при низком сопротивлении и небольших потерях мощности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SC5707-TL-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 50V 8A TPFA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 8 A 330MHz 1 W Surface Mount TP-FA
Подробнее
Артикул: RV3C002UNT2CL
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604, N-Channel 20 V 150mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount VML0604
Подробнее
Артикул: ZXTN2010ZTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 60V 5A SOT89, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 130MHz 2.1 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее
Артикул: 1449-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: CSD16570Q5BT
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON, N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Подробнее
Артикул: RS3JB-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB, Diode Standard 600 V 3A Surface Mount SMB
Подробнее