г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON2260 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON2260
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN, N-Channel 60 V 6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)

Цена
110 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON2260.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
6A (Ta)
44mOhm @ 6A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
426 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
6-DFN (2x2)
6-UDFN Exposed Pad
785-1391-6,785-1391-2,785-1391-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.8W (Ta)

AON2260 является MOSFET-транзистором. Вот основные характеристики транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 Вт. Это означает, что транзистор может рассеивать до 2.8 Вт энергии без превышения его тепловых характеристик.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 В. Это минимальное напряжение затвора, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора при заданных условиях.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдерживать канал транзистора без повреждения.
Эти характеристики предоставляют информацию о возможностях и ограничениях транзистора AON2260 и могут быть полезными при выборе и использовании этого компонента в электронных схемах или устройствах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6491
Бренд: Harris
Описание: BIPOLAR PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 2N3773
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 140V 16A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 16 A - 150 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: DMN5L06DWK-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 305mA 250mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: FDS6690
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: AT-7802A
Бренд: Panasonic
Описание: AT-7802A,
Подробнее
Артикул: SIZ916DT-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Подробнее